LPE（液相法）生长碳化硅具有晶体缺陷少、生长效率高、生长温度低、节能、降低电耗等优点，可生长p型碳化硅晶体。

产品特点

可以生长超过6英寸的晶体

正压设计，腔体压力可达180 kPa，减少溶液挥发

腔体内壁抛光处理，减少附着力，实现高真空

两级设计，方便保持腔内清洁

更精准的控压技术，长晶工艺压力波动<5Pa

双加热系统设计可在解决方案内提供更均匀的温度场

籽晶轴、坩埚轴冷却水流量可精确控制，温度场更稳定

具有籽晶旋转升降、坩埚旋转、加热线圈升降功能

籽晶旋转和坩埚旋转模式可编程，方便技术开发

独特的工艺气体引入设计，使工艺气体可以直接传递到种子的背面

高精度传动部件，重复定位偏差<10μm

自主开发的控制系统，丰富的公式编辑界面，操作权限分级，可远程控制

技术参数

腔室内部尺寸Φ900×1200mm主加热圈功率100kW热场**直径520mm**温度2200℃籽晶提取速度处理速度：0.01-0.5mm/h

快速移动速度：6-300mm/min籽晶旋转1-100rpm，旋转模式可编程坩埚转速1-100rpm，旋转模式可编程卷材升降速度处理速度：0.01-5mm/h

快速移动速度：6-300mm/min电源接口3P 380VAC，112kVA

3P 380VAC，24kVA

3P 380VAC，15kVA气源Ar、He、N2，压力＞0.2MPa

压缩空气、压力0.4-0.6MPa冷却水压力0.3-0.5MPa

流量200L/min尺寸1800×1500×4400mm（不包括坩埚拆卸绞车和平台）

4080×3050×4400mm（包括坩埚拆卸绞盘和平台）重量4000kg